El iPhone 6S podría tener 2 GB de RAM más rápida, tecnología «Force Touch»

Mientras esperamos a que pase casi un año para conocer cómo serán los siguientes modelos de iPhone, los rumores empiezan a llegar en torno a esta máquina que por ahora la blogosfera de Apple está llamando iPhone 6S. El rumor que nos llega hoy dice que el nuevo terminal podría tener por fin los ansiados 2 GB de RAM que debería haber tenido el iPhone 6 este año, y que además serán de un nuevo tipo LPDDR4 (también conocida como Mobile DDR) que permite disminuir el consumo energético de esos chips al tiempo que mejoran su velocidad. Aunque ese 4 podría indicar cuarta generación, en realidad se trata de la sexta iteración de este tipo de chips de memoria.

Aunque de una generación inferior, el iPad Air 2 ya incorpora esos 2 GB de RAM (en la imagen de arriba).

Además de la RAM, también se rumorea que el próximo iPhone podría tener una tecnología que llaman «Force Touch», un sistema que permite identificar si un toque que damos sobre la pantalla lo estamos haciendo como hasta ahora, leve, o con más fuerza, algo que permitiría a las Apps y el sistema operativo utilizar botones con dos funciones, una para el toque leve o suave y otra para el toque más fuerte. Para poder hacer algo así, la tecnología de la pantalla tendría que cambiar radicalmente porque ahora mismo el digitalizador que Apple utiliza sobre la pantalla LCD del iPhone no tiene sensores que permitan identificar presión. Lo único que puede identificar ahora mismo es el paso de corriente eléctrica a través de la piel de nuestro dedo, pero no la presión con la que pulsamos sobre él.

El rumor en este caso nos llega desde GForgames, que a su vez lo ha encontrado en una publicación taiwanesa llamada TechNews escrita en chino.

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